據(jù)fpc小編了解，日本政府將在完成修訂《外匯及外國貿易法》后，最快將于今年春季開始限制向中國出口先進的半導體制造設備。

  報道稱，近期日本政府在與美國達成合作協(xié)議之后，將修改規(guī)定出口特定產品和技術的《外匯及外國貿易法》，且需要經濟產業(yè)部門批準的的省令，從而對日本具有技術優(yōu)勢的半導體生產設備進行出口限制。據(jù)悉，省令修正案將于近期公布。在向企業(yè)等公開征集意見后，最快今年春季啟動管制措施。

  報道指出，新規(guī)定不會具體提及中國，以降低中國報復的風險，但未說明從何處獲得信息。

  去年10月，美國拜登政府宣布對華半導體出口管制新規(guī)，此后又持續(xù)向日本及荷蘭政府施壓，希望他們跟進美國的對華半導體出口管制政策。

  此前的消息顯示，今年1月27日，在美國首都華盛頓召開的實務磋商上，美日荷三方達成了共識。由于日本與荷蘭擔憂在中國市場活動的本國企業(yè)受到影響等，強化管制措施的內容可能將各有不同，但應該不會比美國新規(guī)更為嚴格。

  預計可以被用于16/14nm及以下先進制程芯片制造的設備將會成為管制的重點。荷蘭ASML，日本尼康、東京電子等相關設備廠商都將受到影響。

  據(jù)fpc小編了解，根據(jù)之前的爆料，荷蘭及日本將在限制部分浸沒式193nm光刻機的出口，浸沒式光刻機可以被用于16nm至7nm先進制程芯片的制造，但是目前也有被業(yè)界廣泛應用在45nm及以下的成熟制程當中。目前全球僅有ASML和尼康兩家公司生產。

  因此，一旦浸沒式光刻機被加入限制，則意味著中國自45nm及以下成熟制程芯片的生產可能也將受到影響。不過，從美國新規(guī)來看，主要限制的是16/14nm及以下先進制程芯片的制造，因此可能會限制主要應用于先進制程的浸沒式光刻機的部分型號的對華出口，部分主要應用于成熟制程的浸沒式光刻機型號的許可申請可能會開放。

  在美國持續(xù)加碼對華半導體出口限制的背景之下，為了確保工廠持續(xù)運作，中芯、華虹、晶合和士蘭微等大陸芯片制造商正在購買一切可買的晶圓廠設備（WFE），包括二手半導體設備。

  據(jù)fpc小編了解，美國政府雖然與日荷達成協(xié)議，但日荷目前尚未出臺正式的政策，為應對未來更為嚴峻的限制，這也迫使中國大陸半導體企業(yè)更積極加快采購，購買可以擴張或維持現(xiàn)有營運的設備，因為目前尚不清楚日荷政府具體會禁止哪類設備出口。

  對于大陸半導體制造商來說，購買成熟制程設備相當重要，即使是過時或二手設備，也是維持工廠運作的必要工具。

  報導稱，若美國聯(lián)合日荷對大陸半導體產業(yè)實施更嚴格的限制，中國臺灣半導體設備制造商可能將受益。數(shù)據(jù)顯示，目前來自中國大陸的訂單已經滿到 2024年甚至2025年。